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HX6256NQRC

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CDFP28, 0.500 X 0.720 INCH, CERAMIC, DFP-28
产品类别存储    存储   
文件大小928KB,共12页
制造商Honeywell
官网地址http://www.ssec.honeywell.com/
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HX6256NQRC概述

Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CDFP28, 0.500 X 0.720 INCH, CERAMIC, DFP-28

HX6256NQRC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Honeywell
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL28,.5
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDFP-F28
JESD-609代码e0
长度18.288 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL28,.5
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度3.048 mm
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量100k Rad(Si) V
宽度12.7 mm

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