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JAN1N5139A

产品描述Variable Capacitance Diode, 6.8pF C(T), 60V, Silicon, DO-7, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小154KB,共9页
制造商TelCom Semiconductor, Inc. (Microchip Technology)
官网地址http://www.telcom-semi.com/
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JAN1N5139A概述

Variable Capacitance Diode, 6.8pF C(T), 60V, Silicon, DO-7, GLASS PACKAGE-2

JAN1N5139A规格参数

参数名称属性值
厂商名称TelCom Semiconductor, Inc. (Microchip Technology)
包装说明GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Codeunknown
最小击穿电压60 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差4.41%
最小二极管电容比2.7
标称二极管电容6.8 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数350
参考标准MIL-19500/383B
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
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