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BZM55B11TR

产品描述Zener Diode, 11V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, MICROMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小150KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BZM55B11TR概述

Zener Diode, 11V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, MICROMELF-2

BZM55B11TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码MELF
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压11 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN SILVER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2%
工作测试电流5 mA

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BZM55B...
Vishay Telefunken
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
Saving space
Hermetic sealed parts
Fits onto SOD 323 / SOT 23 footprints
Electrical data identical with the devices
BZT55B... / TZMB...
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Very high stability
Low noise
Available with tighter tolerances
V
Z
–tolerance
±
2%
96 12315
Applications
Voltage stabilization
Order Instruction
Type
BZM55B2V4
Ordering Code
BZM55B2V4–TR
BZM55B2V4–TR3
Remarks
Tape and Reel (2.500 pcs)
Tape and Reel (10.000 pcs)
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
R
thJA
300K/W
x
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
°
C
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Test Conditions
Junction ambient mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1
Junction tie point 35
m
m copper clad, 0.9 mm
2
copper area per electrode
Symbol
R
thJA
R
thJL
Value
500
300
Unit
K/W
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Document Number 85597
Rev. 6, 25-Jun-01
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
www.vishay.com
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