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HY51VS65803HGLT-6

产品描述EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
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文件大小433KB,共11页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY51VS65803HGLT-6概述

EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

HY51VS65803HGLT-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP32,.46
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.95 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP32,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
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