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FDD6030BL

产品描述42A, 30V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小756KB,共7页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
标准  
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FDD6030BL概述

42A, 30V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3

FDD6030BL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码TO-252
包装说明DPAK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)130 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)42 A
最大漏源导通电阻0.016 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FDD6030BL相似产品对比

FDD6030BL FDU6030BL
描述 42A, 30V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 42A, 30V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics
零件包装代码 TO-252 TO-251AA
包装说明 DPAK-3 IPAK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
雪崩能效等级(Eas) 130 mJ 130 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 42 A 42 A
最大漏源导通电阻 0.016 Ω 0.016 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252 TO-251AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
湿度敏感等级 1 NOT SPECIFIED
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 100 A 100 A
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES NO
端子面层 MATTE TIN NOT SPECIFIED
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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