Standard SRAM, 1KX4, 135ns, CMOS, CQCC24,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Marconi Circuit Technology Inc |
包装说明 | QCCN, LCC24,.35SQ,40 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 135 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-XQCC-N24 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 4096 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 4 |
端子数量 | 24 |
字数 | 1024 words |
字数代码 | 1000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 1KX4 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | QCCN |
封装等效代码 | LCC24,.35SQ,40 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流 | 0.0005 A |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.012 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | QUAD |
总剂量 | 100k Rad(Si) V |
MAR5114LB9 | MAR5114LB1 | MAS5114CB1 | MA5114CS2 | |
---|---|---|---|---|
描述 | Standard SRAM, 1KX4, 135ns, CMOS, CQCC24, | Standard SRAM, 1KX4, 135ns, CMOS, CQCC24, | Standard SRAM, 1KX4, 135ns, CMOS, CDIP18, | Standard SRAM, 1KX4, 135ns, CMOS, CDIP18, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | QCCN, LCC24,.35SQ,40 | QCCN, LCC24,.35SQ,40 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
最长访问时间 | 135 ns | 135 ns | 135 ns | 135 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | S-XQCC-N24 | S-XQCC-N24 | R-XDIP-T18 | R-XDIP-T18 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 4096 bit | 4096 bit | 4096 bit | 4096 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 |
端子数量 | 24 | 24 | 18 | 18 |
字数 | 1024 words | 1024 words | 1024 words | 1024 words |
字数代码 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
组织 | 1KX4 | 1KX4 | 1KX4 | 1KX4 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
封装代码 | QCCN | QCCN | DIP | DIP |
封装等效代码 | LCC24,.35SQ,40 | LCC24,.35SQ,40 | DIP18,.3 | DIP18,.3 |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class B (Modified) | MIL-STD-883 Class B (Modified) | MIL-STD-883 Class B (Modified) | MIL-STD-883 Class S (Modified) |
最大待机电流 | 0.0005 A | 0.0005 A | 0.0005 A | 0.0005 A |
最小待机电流 | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
最大压摆率 | 0.012 mA | 0.012 mA | 0.012 mA | 0.012 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1 mm | 1 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | DUAL | DUAL |
厂商名称 | Marconi Circuit Technology Inc | Marconi Circuit Technology Inc | Marconi Circuit Technology Inc | - |
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