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IS25C01-3GI

产品描述EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
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文件大小158KB,共17页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS25C01-3GI概述

EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8

IS25C01-3GI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码SOIC
包装说明0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)10 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
长度4.9 mm
内存密度1024 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.73 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE

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IS25C01
1K-BIT SPI SERIAL
ELECTRICALLY ERASABLE PROM
ISSI
Preliminary Information
January 2006
®
FEATURES
• Serial Peripheral Interface (SPI) Compatible
— Supports SPI Modes 0 (0,0) and 3 (1,1)
• Low-voltage Operation
— Vcc = 1.8V to 5.5V
• Low power CMOS
— Active current less than 3.0 mA (2.5V)
— Standby current less than 1 µA (2.5V)
• Block Write Protection
— Protect 1/4, 1/2, or Entire Array
• 8 byte page write mode
— Partial page writes allowed
• 10 MHz Clock Rate (5V)
• Self timed write cycles
— 5 ms max. @ 2.5V
• High-reliability
— Endurance: 1 million cycles per byte
— Data retention: 100 years
• 8-pin PDIP, 8-pin SOIC, and 8-pin TSSOP packages
are available
• Lead-free available
DESCRIPTION
The IS25C01 is an electrically erasable PROM device
that uses the Serial Peripheral Interface (SPI) for
communications. The IS25C01 is 1Kbit
(128 x 8). The IS25C01 EEPROM is offered in a wide
operating voltage range of 1.8V to 5.5V to be compatible
with most application voltages. ISSI designed the
IS25C01 to be an efficient SPI EEPROM solution. The
device is packaged in 8-pin PDIP, 8-pin SOIC, and 8-pin
TSSOP.
The functional features of the IS25C01 allow it to be
among the most versatile serial non-volatile memories
available. Each device has a Chip-Select (CS) pin, and
a 3-wire interface of Serial Data In (SI), Serial Data Out
(SO), and Serial Clock (SCK). While the 3-wire inter-
face of the IS25C01 provides for high-speed access, a
HOLD
pin allows the memories to ignore the interface in
a suspended state; later the
HOLD
pin re-activates
communication without re-initializing the serial se-
quence. A Status Register facilitates a flexible write
protection mechanism, and a device-ready bit (RDY).
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Preliminary Information Rev. 00B
12/23/05
1

IS25C01-3GI相似产品对比

IS25C01-3GI IS25C01-3PI
描述 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码 SOIC DIP
包装说明 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 10 MHz 10 MHz
数据保留时间-最小值 100 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e0 e0
长度 4.9 mm 9.325 mm
内存密度 1024 bit 1024 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
湿度敏感等级 3 3
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 128 words 128 words
字数代码 128 128
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 128X8 128X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP
封装等效代码 SOP8,.25 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.73 mm 4.57 mm
串行总线类型 SPI SPI
最大待机电流 0.000001 A 0.000001 A
最大压摆率 0.005 mA 0.005 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.9 mm 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE HARDWARE
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