Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS61NLP25632-100TQI

文档预览

IS61NLP25632-100TQI: 产品描述ZBT SRAM, 256KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小128KB，共20页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

下载文档详细参数选型对比全文预览

IS61NLP25632-100TQI概述

ZBT SRAM, 256KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IS61NLP25632-100TQI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	QFP
包装说明	TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	100
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	2.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.025 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

IS61NP25632 IS61NP25636 IS61NP51218

IS61NLP25632 IS61NLP25636 IS61NLP51218

256K x 32, 256K x 36 and 512K x 18

PIPELINE 'NO WAIT' STATE BUS SRAM

ISSI

PRELIMINARY INFORMATION

MARCH 2002

FEATURES

•

100 percent bus utilization

No wait cycles between Read and Write

Internal self-timed write cycle

Individual Byte Write Control

Single R/W (Read/Write) control pin

Clock controlled, registered address,

data and control

Interleaved or linear burst sequence control

using MODE input

Three chip enables for simple depth expansion

and address pipelining for TQFP

Power Down mode

Common data inputs and data outputs

CKE

pin to enable clock and suspend operation

JEDEC 100-pin TQFP, 119 PBGA package

Single +3.3V power supply (± 5%)

NP Version: 3.3V I/O Supply Voltage

NLP Version: 2.5V I/O Supply Voltage

Industrial temperature available

DESCRIPTION

The 8 Meg 'NP' product family feature high-speed,

low-power synchronous static RAMs designed to provide

a burstable, high-performance, 'no wait' state, device for

network and communications customers. They are

organized as 262,144 words by 32 bits, 262,144 words

by 36 bits and 524,288 words by 18 bits, fabricated with

ISSI

's advanced CMOS technology.

Incorporating a 'no wait' state feature, wait cycles are

eliminated when the bus switches from read to write, or

write to read. This device integrates a 2-bit burst counter,

high-speed SRAM core, and high-drive capability outputs

into a single monolithic circuit.

All synchronous inputs pass through registers are controlled

by a positive-edge-triggered single clock input. Operations

may be suspended and all synchronous inputs ignored

when Clock Enable,

CKE

is HIGH. In this state the internal

device will hold their previous values.

All Read, Write and Deselect cycles are initiated by the

ADV input. When the ADV is HIGH the internal burst

counter is incremented. New external addresses can be

loaded when ADV is LOW.

Write cycles are internally self-timed and are initiated by

the rising edge of the clock inputs and when

is LOW.

Separate byte enables allow individual bytes to be written.

A burst mode pin (MODE) defines the order of the burst

sequence. When tied HIGH, the interleaved burst sequence

is selected. When tied LOW, the linear burst sequence is

selected.

FAST ACCESS TIME

Symbol

Parameter

Clock Access Time

Cycle Time

Frequency

-133

4.2

7.5

133

-100

100

Units

MHz

This document contains PRELIMINARY INFORMATION data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —

1-800-379-4774

PRELIMINARY INFORMATION Rev. 00G

03/09/02

IS61NLP25632-100TQI相似产品对比

	IS61NLP25632-100TQI	IS61NLP51218-100TQI	IS61NLP51218-100TQ	IS61NP51218-100BI	IS61NP51218-100B	IS61NLP25632-100B	IS61NLP51218-100B	IS61NLP25636-100TQI
描述	ZBT SRAM, 256KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 256KX32, 5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	BGA	BGA	BGA	BGA	QFP
包装说明	TQFP-100	TQFP-100	TQFP-100	PLASTIC, BGA-119	PLASTIC, BGA-119	PLASTIC, BGA-119	PLASTIC, BGA-119	TQFP-100
针数	100	100	100	119	119	119	119	100
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	20 mm	20 mm	20 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	20 mm
内存密度	8388608 bit	9437184 bi	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	8388608 bit	9437184 bit	9437184 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	32	18	18	18	18	32	18	36
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	119	119	119	119	100
字数	262144 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	262144 words	524288 words	262144 words
字数代码	256000	512000	512000	512000	512000	256000	512000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C
组织	256KX32	512KX18	512KX18	512KX18	512KX18	256KX32	512KX18	256KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	BGA	BGA	BGA	BGA	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	240	240	240
电源	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	3.3 V	3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	2.41 mm	2.41 mm	2.41 mm	2.41 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.025 A	0.025 A	0.02 A	0.025 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.025 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.35 mA	0.35 mA	0.3 mA	0.35 mA	0.3 mA	0.3 mA	0.3 mA	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL	BALL	BALL	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

推荐资源

浮动输入方式的电路（9V电源）

中龙-ZL-2801A型DVD机的开关稳压电源电路

关于计算机的二进制计算问题: 最近在看汇编，但是很是困惑： 1.我们一般在高级语言里碰到的int\float，与我们在讲解二进制加法时用的8位有什么关系？ 2.若汇编老师在讲解完计算机内的数字存储后，发问7+251=？那到底怎么 ......; 5684326 嵌入式系统

STM32哪个开发板好？: STM神舟3 和神舟4 哪个板子适合学习？如果有其他的，那推荐一个，非常感谢！...; Truthsir stm32/stm8

TM320DM8168电源管理中动态核电的软件部分实现: 本人大四了，现在准备做毕业设计，课题如上题，QQ联系了老师一直没回应，他只在上学期给了我下面的一些文档资料232090。我看了这些文档，但对于这个毕业设计要怎么入手都不知道，我都不清楚自己 ......; huoooo 模拟与混合信号

WINCE驱动和WINDOWS驱动的关系???: 想学WINCE的驱动,但书籍好少,于是我想先看WINDOWS的驱动,从这里入门,下面这三种那种更接近WINCE的驱动编程呢?区别又在那呢? 1)WIN9X虚拟设备驱动VxD 2)WIN NT驱动 3)WIN 2000 WDM驱动 ...; MUSASHI 嵌入式系统

89s52的的几个基础问题: 1、89S52的波特率发生器是T2还是T1，还是两个都可以？ 2、多机通信的时候SCON是设置成方式1还是方式3？（我要通过SM2来控制发送的是地址还是数据） 3、S52用KEIL在线仿真是接在COM口还是打印 ......; intersong 嵌入式系统

zigbee串口分析: 协议栈版本信息: ZigBee2006\ZStack-1.4.3-1.2.1因为用现在这模块SerialApp没做成功，上电后按键没反应……两块无线龙小板子已经买来N年了. 自己想在SampleApp例子基础上修改实现串口透明传输: ......; wateras1 无线连接

马斯克：特斯拉FSD V14驾驶表现将优于人类司机，它“感觉像是有生命的”

8月24日消息，特斯拉CEO埃隆· 马斯克透露了即将发布的FSD V14的相关信息，他表示V14的驾驶表现将优于人类司机。特斯拉FSD负责人阿肖克去年曾表示，FSD在2024年初的12.5版本相比年初已有100倍提升，而V13版本预计可实现1000倍的进步。用户@jamesdouma推测，如果V14在初期测试阶段的表现如马斯克所言，相比现有的V13有明显提升，那么成熟后的V14可能会使FSD进...[详细]
一种基于GPRS的嵌入式电话报警系统设计

为了实现对家居环境安全状况实时的监控以及在发生警情时能自动拨号进行语音提示或发送报警短信，设计了一种基于GPRS的嵌入式电话报警系统。该系统以 SoC ( 在片系统) 单片机 C8501F020 为控制与处理核心，并利用2. 4 GHz 数字无线传输技术连接传感器，接收传感器采集的信号，对周围环境进行监控。同时，该系统结合GPRS短信功能和固定电话网络，实现报警信息的可靠传递和远...[详细]
新能源汽车是选择混动好还是纯电动好

我们在城市出行的时候，都会觉得电动汽车好处还是很多的，作为代步工具的它，也能够很好的完成自己的使命。现在大城市越来越多的小区有电动汽车专用车位，可以随时充电。当然这只是一种配套服务，真要使用起来可能一个星期才用充一次电，这也跟现在电动汽车的续航里程有直接的关系。很多人也禁不住为新能源汽车叫好，觉得很快就可以取代燃油汽车。不过我们却发现似乎还是我们国内非常热闹，在欧洲那些老牌汽车企业，在电动...[详细]
同功率的电动汽车与燃油车相比谁的表现更好

同功率的电动机与内燃机，其扭矩大小是接近的。动力强需要高扭矩的支持，扭矩大小决定了一辆车加速快慢，也就是俗说的劲头大小。但是有时候同功率的电动机其扭矩并不会比内燃机高。例如比亚迪秦pro采用的电动机功率为110kw、最大扭矩为250Nm，而比亚迪秦pro采用的1.5T发动机，其最大功率为113kw，最大扭矩240牛米，可以说同功率的电机发动机扭矩也是接近的。又如大众1.4T发动机，最大功率...[详细]
纯电动汽车智能供电系统对我们生活的影响

纯电动汽车作为新能源汽车中的主推车型，近年来得到了国家的大力支持与鼓励，发展也是日新月异，对于纯电动汽车在我们之前的认知，它是一个需要进行充电才能够提供动力输出的一个庞大的耗电体，而在近期发布的车型不知道大家有没有发现，不管是北汽EX5、还是最新发布的几何A都增加了对外放电功能，纯电动汽车摇身一变成为了可充放电的智能移动终端，今天小编就带大家一起纯电动汽车的对外放电功能，看看它究竟会为我们带来哪...[详细]
阿童木发布移动协作码垛机器人新品

近日，辰星自动化旗下品牌阿童木机器人推出移动版协作码垛新品，通过全向移动底盘、智能调度系统与人机交互技术突破，显著提升跨产线协作能力。该产品将传统码垛产线切换时间从2-8小时缩短至5-10分钟，设备日均利用率提升至85%（传统模式为55%），覆盖面积扩大5-20倍。该款移动版协作码垛机器人采用全向移动底盘设计，支持在狭窄通道内自由行进、旋转及跨楼层作业，单台覆盖面积达200-100...[详细]
不可错过的stm32单片机直流电机驱动与测速详解

　　stm32直流电机驱动与测速　　说实话就现在的市场应用中stm32已经占到了绝对住到的地位，51已经成为过去式，32的功能更加强大，虽然相应的难度有所增加，但是依然阻止不了大家学习32的脚步，不说大话了这些大家都懂要不然也不会学习stm32的人那么多!!! 　　进入我们今天的主题，今天给大家介绍的是stm32中一个很小但是比较实用的stm32直流电机驱动与测速，话不多说先给大家上一段直流电...[详细]
单片机开发过程中使用结构体简化程序

首先，作为刚入行不久的新人，我在单片机开发这块并没有太多的经验，所以可能在写一些相关的文档的时候存在一些错误，希望大家多多包含！也希望各位不吝赐教，指点迷津！好记性不如烂笔头，之所以选择开通博客是因为我想把自己在工作和学习过程中碰到的一些问题以及疑惑记录下来，同时积极地定位问题的源头以及寻求解决方案，或许在碰到相同的问题时就能很快地解决。同时在博客上也可以学习到很多工程师长期积累的经验，分享自...[详细]
是德科技研究发现：人工智能发展速度已超越基础设施准备程度

随着AI在各个行业中加速发展，对数据中心基础设施的需求也在迅速增长是德科技与Heavy Reading合作发布了《超越瓶颈：2025年AI集群网络报告》，探讨运营商如何演进以适应人工智能（AI）工作负载的规模和速度。报告显示近九成（89%）电信和云服务提供商计划扩大或维持AI基础设施投资，其中前三大增长因素分别为云集成（51%）、更高速的GPU（49%）和高速网络升级（45%）。 ...[详细]
纯电动汽车的双电机与单电机各自的特点是什么

对于电动汽车而言，最核心的部件之一就是电机。电源为电机提供电能，而电机的作用就是将这些电能转化为机械能，进而通过传动装置来驱动车轮前进，因此汽车的能量转换效率与电机的性能密不可分。而为了提升汽车性能，双电机模式也被应用到了电动汽车当中。那么相较于传统的单电机模式，双电机模式拥有着哪些优势，是否只是单电机的叠加呢？首先，目前的双电机驱动主要是有三种方式，第一种是两个功率相同的电机进行叠加，实...[详细]
电动汽车是利用发动机来实现12V车载供电吗

电动汽车的12V蓄电池供电并不是依靠发电机，只有燃油动力汽车才会依靠发动机带动发电机在行驶中发电，其作用是为12V车载设备供电；用这种发电即时供电的原因是因为12V蓄电池的容量太小，而且不能依靠外接设备充电。而电动汽车有一组动辄50kwh左右的动力电池组，其容量是燃油动力汽车电池的50~100倍甚至更高，车载12V电子设备的耗电量与容量相比小到几乎可以忽略；而动力电池组可依靠220市电充电，所以...[详细]
一辆合格的新能源汽车应该达到什么标准

新能源汽车随着保有量的增加，新能源汽车配套设施的布局加快，对于新能源汽车而言也开始逐渐走进了大多数人的视野，新能源汽车不限行，不限号，无尾气污染等，也成了很多人买车时候的一种选择，无论在什么地方，总是能见到新能源汽车特有的绿色车牌，这成了一种趋势，但关于新能源汽车，真正的新能源汽车应该达到什么标准？真正的新能源汽车在我看来，应该具备零排放无污染，安全系数高，合适的续航里程等。从零排放无污染...[详细]
储能设备的人机交互模块需要符合什么要求？

1、易于使用：人机交互模块应该设计得简单明了，使用户能够轻松地操作和设置储能设备。 2、易于维护：人机交互模块应该设计得易于维护，以便用户能够快速和方便地检查和修理储能设备。 3、可靠性高：人机交互模块应该设计得可靠，以确保储能设备能够长时间运行，并且不会出现故障。 4、数据记录：人机交互模块应该能够记录储能设备的运行数据，以便用户能够监视和跟踪储能设备的工作情况。 5、安全性：人机交互模块应该...[详细]
未按要求上报自动驾驶相关交通事故，特斯拉面临美交通部门调查

8 月 22 日消息，据美国 CNBC 今日报道，美国国家公路交通安全管理局（NHTSA）正对特斯拉发起调查，后者被质疑是否未按规定及时上报涉及其自动驾驶系统的交通事故。 NHTSA 在文件中指出，特斯拉的多份事故报告比事故发生晚了数月才提交。特斯拉解释称，这是数据收集系统出现问题所致，目前已修复。按规定，车企必须在知晓事故五天内上报。NHTSA 将通过一次“审计查询”来确认特斯拉是否合规，并...[详细]
小型计算机——加固边缘部署的实时数据分析

与云数据库相比，小型计算机是专门为网络边缘的去中心化坚固计算而构建的。通过将应用程序、分析和处理服务移动到更靠近数据生成源的位置，业务运营可以获得改进的实时计算应用程序性能。 l 从奔腾到酷睿i5的可扩展CPU性能 l 智能电源点火管理和CAN总线网络支持 l 无线局域网和广域网LTE连接 l 丰富的I/O可扩展性，包括PoE、PCI、PCIe、COM l 适用于宽工作温度和宽电压输入的坚固...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多