HN58V66AT-10SR,HN58V66AT-10SR pdf中文资料,HN58V66AT-10SR引脚图,HN58V66AT-10SR电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HN58V66AT-10SR

HN58V66AT-10SR: 产品描述EEPROM, 8KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28; 产品类别存储存储; 文件大小152KB，共28页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HN58V66AT-10SR概述

EEPROM, 8KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28

HN58V66AT-10SR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	100 ns
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
长度	11.8 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-20 °C
组织	8KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小	64 words
并行/串行	PARALLEL
电源	3/5 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.6 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	GULL WING
端子节距	0.55 mm
端子位置	DUAL
切换位	YES
宽度	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms

HN58V66AT-10SR相似产品对比

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描述	EEPROM, 8KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28	EEPROM, 8KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28	EEPROM, 8KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOP-28	EEPROM, 8KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28	EEPROM, 8KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28	EEPROM, 8KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	EEPROM, 8KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOP-28	EEPROM, 8KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	TSOP	TSOP	SOIC	TSOP	TSOP	DIP	SOIC	DIP
包装说明	TSOP1, TSSOP28,.53,22	TSOP1, TSSOP28,.53,22	SOP, SOP28,.45	TSOP1, TSSOP28,.53,22	TSOP1, TSSOP28,.53,22	DIP, DIP28,.6	SOP, SOP28,.45	DIP, DIP28,.6
针数	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns
命令用户界面	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
数据轮询	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
JESD-30 代码	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDIP-T28	R-PDSO-G28	R-PDIP-T28
长度	11.8 mm	11.8 mm	18.3 mm	11.8 mm	11.8 mm	35.6 mm	18.3 mm	35.6 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-20 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-20 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	TSOP1	SOP	TSOP1	TSOP1	DIP	SOP	DIP
封装等效代码	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22	SOP28,.45	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22	DIP28,.6	SOP28,.45	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
页面大小	64 words	64 words	64 words	64 words	64 words	64 words	64 words	64 words
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V
编程电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	2.5 mm	1.2 mm	1.2 mm	5.7 mm	2.5 mm	5.7 mm
最大待机电流	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A
最大压摆率	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	OTHER	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	0.55 mm	0.55 mm	1.27 mm	0.55 mm	0.55 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
切换位	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
宽度	8 mm	8 mm	8.4 mm	8 mm	8 mm	15.24 mm	8.4 mm	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms
其他特性	-	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE	-	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE
数据保留时间-最小值	-	10	10	10	-	10	10	10

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