IDT7005L25JG,IDT7005L25JG pdf中文资料,IDT7005L25JG引脚图,IDT7005L25JG电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7005L25JG: 产品描述Dual-Port SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68; 产品类别存储存储; 文件大小166KB，共20页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT7005L25JG概述

Dual-Port SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC
包装说明	QCCJ, LDCC68,1.0SQ
针数	68
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J68
JESD-609代码	e3
长度	24.2062 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	68
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC68,1.0SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm
最大待机电流	0.0015 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	24.2062 mm

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