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MJE2801T

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小99KB,共2页
制造商Inchange Semiconductor
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MJE2801T概述

Transistor

MJE2801T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Inchange Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown

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INCHANGE Semiconductor
isc
Product Specification
isc
Silicon NPN Power Transistor
MJE2801T
DESCRIPTION
·Collector-Emitter
Breakdown Voltage-
: V
(BR)CEO
= 60V(Min)
·High
DC Current Gain-
:
h
FE
= 25-100@I
C
= 3A
·Complement
to Type MJE2901T
APPLICATIONS
·Designed
for use as an output device in complementary
audio amplifiers up to 35 watts music power per channel.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25
℃)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
B
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ T
C
=25℃
Junction Temperature
Storage Temperature Range
VALUE
60
60
4
10
5
75
150
-55~150
UNIT
V
V
V
A
A
W
P
C
T
J
T
stg
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal Resistance,Junction to Case
MAX
1.67
UNIT
℃/W
isc Website:www.iscsemi.cn
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