MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
SWITCHMODE Series
PNP Silicon Power Transistors
The MJE5850, MJE5851 and the MJE5852 transistors are designed for high–volt-
age, high–speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They
are particularly suited for line operated switchmode applications such as:
•
Switching Regulators
•
Inverters
•
Solenoid and Relay Drivers
•
Motor Controls
•
Deflection Circuits
Fast Turn–Off Times
100 ns Inductive Fall Time @ 25
_
C (Typ)
125 ns Inductive Crossover Time @ 25°C (Typ)
Operating Temperature Range – 65 to + 150
_
C
100
_
C Performance Specified for:
Reversed Biased SOA with Inductive Loads
Switching Times with Inductive Loads
Saturation Voltages
Leakage Currents
MAXIMUM RATINGS
Designer's
™
Data Sheet
MJE5850
MJE5851*
MJE5852*
*Motorola Preferred Device
8 AMPERE
PNP SILICON
POWER TRANSISTORS
300, 350, 400 VOLTS
80 WATTS
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎ Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î
ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
Symbol
MJE5850
300
350
MJE5851
350
400
6.0
8.0
16
4.0
8.0
80
MJE5852
400
450
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector–Emitter Voltage
Collector–Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
VCEO(sus)
VCEV
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
Collector Current — Continuous
Peak (1)
Base Current — Continuous
Peak (1)
Total Power Dissipation
@ TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Watts
W/
_
C
0.640
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to 150
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
θJC
TL
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
1.25
275
_
C/W
_
C
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
v
10%.
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions
— The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
3–644
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
* Pulse Test: PW = 300
µs.
Duty Cycle
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
*ON CHARACTERISTICS
SECOND BREAKDOWN
OFF CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Inductive Load, Clamped (Table 1)
Fall Time
Storage Time
Rise Time
Delay Time
Resistive Load (Table 1)
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 1.0 kHz)
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100
_
C)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
(IC = 8.0 Adc, IB = 3.0 Adc)
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100
_
C)
DC Current Gain
(IC = 2.0 Adc, VCE = 5 Vdc)
(IC = 5.0 Adc, VCE = 5 Vdc)
Clamped Inductive SOA with base reverse biased
Second Breakdown Collector Current with base forward biased
Emitter Cutoff Current
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEV, RBE = 50
Ω,
TC = 100
_
C)
Collector Cutoff Current
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc)
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100
_
C)
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 10 mA, IB = 0)
(ICM = 4 A VCEM = 250 V, IB1 = 1 0 A
A,
V
1.0 A,
VBE(off) = 5 Vdc, TC = 25
_
C)
(ICM = 4 A VCEM = 250 V, IB1 = 1 0 A
A,
V
1.0 A,
VBE(off) = 5 Vdc, TC = 100
_
C)
(
(VCC = 250 Vdc, IC = 4.0 A, IB1 = 1.0 A,
VBE(off) = 5 Vdc, tp = 50
µs,
Duty Cycle
(
(VCC = 250 Vdc, IC = 4.0 A, IB1 = 1.0 A,
tp = 50
µs,
Duty Cycle
2%)
Characteristic
v
2%
v
MJE5850
MJE5851
MJE5852
v
2%)
VCEO(sus)
VCE(sat)
VBE(sat)
Symbol
RBSOA
IEBO
ICER
ICEV
Cob
hFE
IS/b
tsv
tsv
td
tfi
tc
tfi
tc
ts
tr
tf
MJE5850 MJE5851 MJE5852
Min
300
350
400
15
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.125
0.100
0.025
0.60
0.11
Typ
270
See Figure 13
See Figure 12
0.1
0.5
0.1
0.4
0.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Max
1.5
3.0
0.5
2.0
0.5
0.1
1.5
1.5
2.0
5.0
2.5
1.0
3.0
0.5
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3–645
mAdc
mAdc
mAdc
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
pF
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
—
MJE5850 MJE5851 MJE5852
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
200
100
hFE , DC CURRENT GAIN
70
50
30
20
VCE = 5 V
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.1
TJ = 150°C
TJ = 25°C
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.0
1.6
IC = 0.25 A
1.2
1.0 A
2.5 A
5.0 A
0.8
TJ = 25°C
0.4
0.2
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
0.3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5.0 7.0
10
0
0.01
0.02
0.05
2.0
0.1
0.2
0.5 1.0
IB, BASE CURRENT (AMPS)
5.0
10
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Collector Saturation Region
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.0
2.0
1.6
IC/IB = 4
1.2
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.6
IC/IB = 4
1.2
0.8
TJ = 150°C
0.8
TJ = 25°C
0.4
0
0.1
TJ = 25°C
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
0.4
0
0.1
TJ = 150°C
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 3. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base–Emitter Voltage
105
IC, COLLECTOR CURRENT (nA)
104
TJ = 150°C
103
100°C
102
101
100
+ 0.2
REVERSE
25°C
+ 0.1
0
– 0.4
– 0.1
– 0.2
– 0.3
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
– 0.5
FORWARD
VCE = 200 V
C, CAPACITANCE (pF)
3000
2000
TJ = 25°C
1000
500
Cob
200
100
50
30
0.1 0.2
0.5 1.0
5.0 10 20 50 100 200 500 1000
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Cib
Figure 5. Collector Cutoff Region
Figure 6. Capacitance
3–646
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJE5850 MJE5851 MJE5852
Table 1. Test Conditions for Dynamic Performance
VCEO(sus)
RBSOA AND INDUCTIVE SWITCHING
RESISTIVE SWITCHING
+V
50
µF
+ –
0.0025
µF
0.2
µF
500
Ω
1/2 W
500
Ω
1/2 W
1N4934
0.0033
µF
500
Ω
1/2 W
1
Ω
2W
MJE15028
0.1
µF
–
– V adjusted to obtain desired IB1
+ V adjusted to obtain desired VBE(off)
CIRCUIT
VALUES
Lcoil = 180
µH
Rcoil = 0.05
Ω
VCC = 20 V
IB1
–10 V
20
0.1
µF
MJE15029
TURN–ON TIME
1
2
1
INPUT
CONDITIONS
0
0.1
µF
2
INPUT
+V
0
50
Ω
2W
500
Ω
1/2 W
0.2
µF
1
2
PW Varied to Attain
IC = 100 mA
IB1 adjusted to
obtain the forced
hFE desired
TURN–OFF TIME
Use inductive switching
driver as the input to
the resistive test circuit.
+
50
µF
–V
VCC = 250 V
RL = 62
Ω
Pulse Width = 10
µs
Lcoil = 80 mH, VCC = 10 V
Rcoil = 0.7
Ω
Vclamp = 250 V
RB adjusted to attain desired IB1
INDUCTIVE TEST CIRCUIT
OUTPUT WAVEFORMS
IC
t1 Adjusted to
Obtain IC
ICM
t1
VCE
tf
t2
≈
VCEM
TIME
t2
Vclamp
t
tf Clamped
t
t1
≈
Lcoil (ICM)
VCC
Lcoil (ICM)
VClamp
1
2
RESISTIVE TEST CIRCUIT
TEST CIRCUITS
TUT
1
INPUT
SEE ABOVE FOR
DETAILED CONDITIONS
1N4937
OR
EQUIVALENT
Vclamp
RS =
0.1
Ω
Rcoil
Lcoil
VCC
TUT
RL
VCC
Test Equipment
Scope — Tektronix
475 or Equivalent
1.0
tc 100°C
t c , CROSSOVER TIME (
µs)
0.8
tsv 100°C
IC = 4 A
IC/IB = 4
TJ = 25°C
tsv 25°C
3.0
2.7
t sv, VOLTAGE STORAGE TIME (µs)
2.4
2.1
IB
VCE
IC
10%
90% IB1 VCEM
tsr
trv
tc
tfi
10% 2%
ICM ICM
tti
0.6
1.8
1.5
0.4
1.2
0.9
90%
ICM
ICM
TIME
VCEM
0.2
tc 25°C
0.6
0.3
Vclamp
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0
Figure 7. Inductive Switching Measurements
Figure 8. Inductive Switching Times
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3–647
MJE5850 MJE5851 MJE5852
SWITCHING TIMES NOTE
In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times
have been defined and apply to both current and voltage
waveforms since they are in phase. However, for inductive
loads which are common to SWITCHMODE power supplies
and hammer drivers, current and voltage waveforms are not
in phase. Therefore, separate measurements must be made
on each waveform to determine the total switching time. For
this reason, the following new terms have been defined.
tsv = Voltage Storage Time, 90% IB1 to 10% VCEM
trv = Voltage Rise Time, 10 – 90% VCEM
tfi = Current Fall Time, 90 – 10% ICM
tti = Current Tail, 10 – 2% ICM
tc = Crossover Time,10% VCEM to 10% ICM
An enlarged portion of the inductive switching waveform is
shown in Figure 7 to aid on the visual identity of these terms.
For the designer, there is minimal switching loss during
storage time and the predominant switching power losses
occur during the crossover interval and can be obtained us-
ing the standard equation from AN–222A:
PSWT = 1/2 VCCIC(tc)f
In general, t rv + t fi
t c. However, at lower test currents this
relationship may not be valid.
As is common with most switching transistors, resistive
switching is specified at 25°C and has become a benchmark
for designers. However, for designers of high frequency con-
verter circuits, the user oriented specifications which make
this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive switching
speeds (t c and t sv) which are guaranteed at 100
_
C.
]
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
t, TIME (
µ
s)
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
td
tr
10
VCC = 250 V
IC/IB = 4
TJ = 25°C
t, TIME (
µ
s)
0.7
ts
0.4
0.3
0.2
VCC = 250 V
IC/IB = 4
VBE(off) = 5 V
TJ = 25°C
tf
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
4.0
7.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 9. Turn–On Switching Times
Figure 10. Turn–Off Switching Time
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
(NORMALIZED)
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
Z
θJC(t)
= r(t) R
θJC
R
θJC
= 1.25°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θJC(t)
2
5
t, TIME (ms)
10
20
50
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
100
200
500
1k
0.01
0.01
Figure 11. Typical Thermal Response [Z
θJC
(t)]
3–648
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
无线连接
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
