Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MJE200LEADFREE

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MJE200LEADFREE: 产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小334KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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MJE200LEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

MJE200LEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	5 A
基于收集器的最大容量	80 pF
集电极-发射极最大电压	25 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10
JEDEC-95代码	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)	15 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	65 MHz
VCEsat-Max	1.8 V

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MJE200

MJE210

NPN

PNP

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

COMPLEMENTARY SILICON

POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE200, MJE210

types are complementary silicon transistors designed

for high gain amplifier applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

TO-126 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Peak Collector Current

Continuous Base Current

Power Dissipation

Power Dissipation (TC=25°C)

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

ICM

TJ, Tstg

UNITS

°C

°C/W

8.0

5.0

1.0

1.5

-65 to +150

83.4

8.34

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TC=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

ICBO

VCB=40V

ICBO

VCB=40V, TJ=125°C

IEBO

BVCEO

VCE(SAT)

VBE(SAT)

VBE(ON)

hFE

Cob

VEB=8.0V

IC=10mA

IC=500mA, IB=50mA

IC=2.0A, IB=200mA

IC=5.0A, IB=1.0A

VCE=1.0V, IC=2.0A

VCE=1.0V,

IC=500mA

IC=2.0A

MAX

100

0.3

0.75

1.8

2.5

1.6

180

UNITS

μA

VCE=2.0V, IC=5.0A

VCE=10V, IC=100mA, f=10MHz

VCB=10V, IE=0, f=100kHz (MJE200)

VCB=10V, IE=0, f=100kHz (MJE210)

MHz

120

R1 (2-May 2012)

MJE200LEADFREE相似产品对比

	MJE200LEADFREE	MJE210LEADFREE
描述	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	5 A	5 A
基于收集器的最大容量	80 pF	120 pF
集电极-发射极最大电压	25 V	25 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10	10
JEDEC-95代码	TO-126	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3	e3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	NPN	PNP
功耗环境最大值	1.5 W	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)	15 W	15 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	65 MHz	65 MHz
VCEsat-Max	1.8 V	1.8 V

推荐资源

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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