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MJE3439

产品描述0.3A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小74KB,共3页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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MJE3439概述

0.3A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

MJE3439规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)0.3 A
基于收集器的最大容量10 pF
集电极-发射极最大电压350 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值15 W
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)15 MHz
VCEsat-Max0.5 V

MJE3439相似产品对比

MJE3439 SGS3439 SGS3440
描述 0.3A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 0.3A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 0.3A, 250V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 0.3 A 0.3 A 0.3 A
基于收集器的最大容量 10 pF 10 pF 10 pF
集电极-发射极最大电压 350 V 350 V 250 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 50
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
功耗环境最大值 15 W 15 W 15 W
最大功率耗散 (Abs) 15 W 15 W 15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 15 MHz 15 MHz 15 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 0.5 V
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