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BYW51-200

产品描述4A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小24KB,共3页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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BYW51-200概述

4A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYW51-200规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散20 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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BYW51-100, BYW51-150, BYW51-200
June 1995
File Number 1412.2
8A, 100V - 200V Ultrafast Dual Diodes
The BYW51 series devices are low forward voltage drop,
ultra-fast-recovery rectifiers (t
RR
< 35ns). They use a planar
ion-implanted epitaxial construction.
These devices are intended for use as output rectifiers and
fly-wheel diodes in a variety of high-frequency pulse-width-
modulated and switching regulators. Their low stored charge
and attendant fast reverse-recovery behavior minimize elec-
trical noise generation and in many circuits markedly reduce
the turn-on dissipation of the associated power switching
transistors.
Features
• Ultra Fast Recovery Time (<35ns)
• Low Forward Voltage
• Low Thermal Resistance
• Planar Design
• Wire-Bonded Construction
Applications
• General Purpose
• Power Switching Circuits to 100kHz
• Full-Wave Rectification
Ordering Information
PACKAGING AVAILABILITY
PART NUMBER
BYW51-100
BYW51-150
BYW51-200
PACKAGE
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
BRAND
BYW51100
BYW51150
BYW51200
Package
JEDEC TO-220AB
ANODE 1
CATHODE
ANODE 2
CATHODE
(FLANGE)
NOTE: When ordering, use the entire part number.
Symbol
K
A1
A2
Absolute Maximum Ratings
Per Junction
BYW51-100
BYW51-150
150
165
100
20
8
100
20
-40 + 150
260
BYW51-200
200
220
100
20
8
100
20
-40 + 150
260
UNITS
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage . . . . . . . . . . . V
RRM
Maximum Peak Surge Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
RSM
Repetitive Peak Surge Current. . . . . . . . . . . . . . l
FRM
, t
P
< 10µs
Nonrepetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . l
F
(RMS), Total
Average Rectified forward Current . . . . . . . . . . . . . . l
F(AV)
, Total
T
C
= +125
o
C, a = 0.5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak Surge Current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . l
FSM
t
P
= 10ms, Sinusoidal
Maximum Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . P
D
, T
C
= +125
o
C
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
J
T
L
(Lead Temperature During Soldering). . . . . . . . . . . . . . . . . . .
At Distance >
1
/
8
in. (3.17mm) From Case For 10s max.
100
110
100
20
8
100
20
-40 + 150
260
1
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 1999
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