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BYW51-200

产品描述4A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小738KB,共4页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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BYW51-200概述

4A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYW51-200规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
厂商名称Rochester Electronics
Reach Compliance Codeunknown
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)240
最大功率耗散20 W
认证状态COMMERCIAL
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30

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描述 4A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE 4A, 150V, SILICON, RECTIFIER DIODE 4A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 含铅 含铅 含铅
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
应用 ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0
湿度敏感等级 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A
元件数量 2 2 2
相数 1 1 1
端子数量 3 3 3
最大输出电流 4 A 4 A 4 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 240 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 20 W 20 W 20 W
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
最大重复峰值反向电压 200 V 150 V 100 V
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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