电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

F4H3ND

产品描述Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共3页
制造商SHINDENGEN
官网地址https://www.shindengen.com
下载文档 详细参数 全文预览

F4H3ND概述

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

F4H3ND规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SHINDENGEN
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
湿度敏感等级2
元件数量2
端子数量8
工作模式DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
POWER MOSFET
20V MOSFET series
N-Channel, Enhancement type
SOP-8
Electrical Characteristics
I
D
P
T
R
DS
(
ON
)
V
GS
=2.5V
(max)
[Ω]
C
iss
(typ)
[pF]
C
rss
(typ)
[pF]
t
on
(typ)
[ns]
t
off
(typ)
[ns]
Outline
Absolute Maximum Ratings
Tch
Type No.
[˚C]
[V]
[V]
[A]
[W]
V
DSS
V
GSS
Package
Figure
F7H2N
150
F5H2ND
D: Dual, without D is Single
20
±12
7
5
2
2
0.029
0.047
1450
700
170
95
230
100
215
170
SOP-8
92
30V MOSFET series
N-Channel, P-Channel, Enhancement type
SOP-8
Absolute Maximum Ratings
E-pack
E-pack
STO-220
STO-220
Electrical Characteristics
I
D
P
T
R
DS
(
ON
)
V
GS
=4V
(max)
[Ω]
C
iss
(typ)
[pF]
C
rss
(typ)
[pF]
t
on
(typ)
[ns]
t
off
(typ)
[ns]
Outline
Tch
Type No.
[˚C]
V
DSS
V
GSS
[V]
[V]
[A]
[W]
Package
Figure
2SK2816
2SK2817
2SK2818
2SK2819
2SK2820
2SK2821
2SJ487
2SJ488
2SJ489
2SJ490
2SJ491
F4H3N
F5H3N
F8H3N
F10H3N
F2H3ND
F3H3ND
F4H3ND
F5H3ND
F3H3P
F4H3P
F5H3P
F7H3P
F3H3PD
F4H3PD
F3H3C
F4H3C
150
30
±20
150
–30
±
20
150
30
±
20
150
–30
±
20
150
150
30
–30
30
–30
±20
±20
5
10
15
20
45
70
–3
–5
–7
–10
–20
4
5
8
10
2.5
3
4
5
–2.5
–3.5
–4.5
–6.5
–2.5
–3.5
2.5
–2.5
4
–3.5
10
15
20
25
55
70
10
15
20
25
55
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
0.16
0.1
0.07
0.04
0.02
0.01
0.5
0.3
0.21
0.12
0.06
0.1
0.07
0.04
0.023
0.25
0.16
0.1
0.07
0.3
0.21
0.12
0.06
0.3
0.21
0.25
0.3
0.1
0.21
180
300
440
790
1720
3800
230
320
480
870
1900
300
440
730
1400
130
180
300
440
320
480
760
1550
320
480
130
320
300
480
40
60
90
150
330
710
30
40
50
90
210
60
90
150
340
30
40
60
90
40
50
90
210
40
50
30
40
60
50
30
60
95
125
305
400
50
60
85
120
245
40
50
60
130
25
30
40
50
45
55
60
160
45
55
25
45
40
55
65
100
150
230
465
950
55
85
130
195
385
95
140
220
450
47
65
95
140
90
120
190
550
90
120
47
90
95
120
E-pack
78-4
(SMD 77-4)
76-2
STO-220
(SMD 74-3)
78-4
(SMD 77-4)
E-pack
STO-220
*1
SOP-8
92
D: Dual; C: Complement; without D or C is Single
*1: Leaded package - Fig. 76-2; SMD package - Fig. 74-3
40V MOSFET series
N-Channel, Enhancement type
SOP-8
Electrical Characteristics
I
D
P
T
R
DS
(
ON
)
V
GS
=4V
(max)
[Ω]
C
iss
(typ)
[pF]
C
rss
(typ)
[pF]
t
on
(typ)
[ns]
t
off
(typ)
[ns]
Outline
Absolute Maximum Ratings
Tch
Type No.
[˚C]
[V]
[V]
±
20
[A]
[W]
V
DSS
V
GSS
Package
Figure
F9H4N
150
40
9
2
0.03
1500
220
110
380
SOP-8
92
D: Dual, without D is Single
1 • 8 0 0 • 6 3 4 • 3 6 5 4
铁电的问题
我用的是FM25L256 在30001~30050的字节空间里写入0X55 当我每测过一次把序号写入上述单元,比如我一次测量的时候序号为1,则相应的30001也写入1,其他的仍为0X55,问题是我在读铁电的时候从3000 ......
wangshujun 嵌入式系统
ADS1.2 的RO_BASE RW_BASE 设置
使用ADS1.2的分散加载文件程序能在LPC2132中正确运行,现在我不想使用分散加载文件,怎样设置RO_BASE RW_BASE Entry_point? ROM_LOAD 0x00000000 { ROM_EXEC 0x00000000 { ......
netantss 嵌入式系统
结构体错误分析
程序运行完后 出现这样的错误 是怎么回事 函数是这样的 void FFT(struct compx *xin,int N) 但是出现这样的错误 error: unnamed prototyped parameters not allowed when body is present...
lengfengchuiguo DSP 与 ARM 处理器
基于siglent来定量检测数字示波器的带宽
示波器最主要参数:带宽(Bandwidth),决定了示波器的测量频率范围。当我们拿到一台数字示波器时,如何自己检测带宽是否满足厂家标称指标呢?下面我们就以鼎阳SDS1072CML为例检测其带宽,其标称的 ......
cathy.fu 测试/测量
2020年中国将全面进入小康社会, 人均GDP将达1万美元
中国财政部副部长朱光耀本周在北京举行的2015网易经济学家年会夏季论坛上表示,中国经济在今年企稳向好,且这种企稳的态势会进一步加强,2015年能实现7%左右的经济增长率。 他还表示,未来 ......
xuyiyi 聊聊、笑笑、闹闹

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2058  2561  534  435  752  50  45  31  2  14 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved