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LTC1100MJ8/883B

产品描述IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小320KB,共7页
制造商Linear ( ADI )
官网地址http://www.analog.com/cn/index.html
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LTC1100MJ8/883B概述

IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier

LTC1100MJ8/883B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Linear ( ADI )
零件包装代码DIP
包装说明CERDIP-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
放大器类型INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)0.00045 µA
标称带宽 (3dB)0.018 MHz
最小共模抑制比90 dB
最大输入失调电流 (IIO)0.00012 µA
最大输入失调电压10 µV
JESD-30 代码R-GDIP-T8
JESD-609代码e0
负供电电压上限-9 V
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
最大非线性0.0065%
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
供电电压上限9 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
最大电压增益100
最小电压增益10
宽度7.62 mm

LTC1100MJ8/883B相似产品对比

LTC1100MJ8/883B LTC1100ACJ8 LTC1100AMJ8/883B
描述 IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Linear ( ADI ) Linear ( ADI ) Linear ( ADI )
零件包装代码 DIP DIP DIP
包装说明 CERDIP-8 CERDIP-8 CERDIP-8
针数 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00045 µA 0.00012 µA 0.0003 µA
标称带宽 (3dB) 0.018 MHz 0.018 MHz 0.018 MHz
最小共模抑制比 90 dB 104 dB 100 dB
最大输入失调电流 (IIO) 0.00012 µA 0.00005 µA 0.00008 µA
最大输入失调电压 10 µV 10 µV 10 µV
JESD-30 代码 R-GDIP-T8 R-GDIP-T8 R-GDIP-T8
JESD-609代码 e0 e0 e0
负供电电压上限 -9 V -9 V -9 V
标称负供电电压 (Vsup) -5 V -5 V -5 V
最大非线性 0.0065% 0.003% 0.004%
功能数量 1 1 1
端子数量 8 8 8
最高工作温度 125 °C 85 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -40 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
供电电压上限 9 V 9 V 9 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY INDUSTRIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
最大电压增益 100 100 100
最小电压增益 10 10 10
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
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