IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Linear ( ADI ) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | CERDIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00045 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 0.018 MHz |
| 最小共模抑制比 | 90 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.00012 µA |
| 最大输入失调电压 | 10 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负供电电压上限 | -9 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 最大非线性 | 0.0065% |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 供电电压上限 | 9 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 最大电压增益 | 100 |
| 最小电压增益 | 10 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| LTC1100MJ8/883B | LTC1100ACJ8 | LTC1100AMJ8/883B | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier | IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier | IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Linear ( ADI ) | Linear ( ADI ) | Linear ( ADI ) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | CERDIP-8 | CERDIP-8 | CERDIP-8 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00045 µA | 0.00012 µA | 0.0003 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 0.018 MHz | 0.018 MHz | 0.018 MHz |
| 最小共模抑制比 | 90 dB | 104 dB | 100 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.00012 µA | 0.00005 µA | 0.00008 µA |
| 最大输入失调电压 | 10 µV | 10 µV | 10 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | R-GDIP-T8 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 负供电电压上限 | -9 V | -9 V | -9 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V | -5 V | -5 V |
| 最大非线性 | 0.0065% | 0.003% | 0.004% |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 供电电压上限 | 9 V | 9 V | 9 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 最大电压增益 | 100 | 100 | 100 |
| 最小电压增益 | 10 | 10 | 10 |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
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