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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BD537K
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BD537K

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小120KB，共3页
制造商Inchange Semiconductor
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BD537K概述

Transistor

BD537K规格参数

参数名称属性值
厂商名称Inchange Semiconductor
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)50 W
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)12 MHz
VCEsat-Max0.8 V

BD537K相似产品对比

BD537K BD533K BD537J
描述 Transistor Transistor Transistor
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 , FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
厂商名称 Inchange Semiconductor - Inchange Semiconductor
外壳连接 COLLECTOR - COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A - 8 A
集电极-发射极最大电压 80 V - 80 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 - 15
JEDEC-95代码 TO-220AB - TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN - NPN
最大功率耗散 (Abs) 50 W - 50 W
表面贴装 NO - NO
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - SINGLE
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 12 MHz - 12 MHz
VCEsat-Max 0.8 V - 0.8 V

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