Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> JANTXV1N645-1/TR

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JANTXV1N645-1/TR: 产品描述Rectifier Diode,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小85KB，共1页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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JANTXV1N645-1/TR概述

Rectifier Diode,

JANTXV1N645-1/TR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
Reach Compliance Code	unknown
二极管类型	RECTIFIER DIODE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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EATURES

1N645-1

•

1N645-1

AVAILABLE IN

JAN, JANTX, AND JANTXV

PER MIL-PRF-19500/240

ILICON

ECTIFIER

ETALLURGICALLY

ONDED

ERMETICALLY

EALED

OUBLE

LUG

ONSTRUCTION

AXIMUM

ATINGS AT

°C

Operating Temperature:

Storage Temperature:

Surge Current A, sine 8.3mS:

Total Power Dissipation:

Operating Current:

-65°C to +175°C

5.0A

500mW

400mA, T

= +25°C

Operating Current:

Derating Factor:

D.C. Reverse Voltage (VRWM):

150mA, T

= +150°C

2mA/°C above +25°C

6mA/°C above +150°C

225V

DC E

LECTRICAL

HARACTERISTICS

Ambient

(°C)

Min

Max

Ambient

(°C)

V (dc)

Min

µA

Max

µA

150

-55

400

0.80

0.70

1.00

0.95

1.20

150

225

270(ac)

225

0.050

ESIGN

ATA

Case:

Hermetically sealed glass package per MIL-

PRF-19500/240 DO-35 outline

Lead Material:

Copper clad steel

Lead Finish:

Tin/Lead

Thermal Resistance (R

θJL

250°C/W maximum

at L=.375”

Thermal Impedance (Z

θJX

35°C/W maximum

Marking:

Blue body coat, Black digits.

Polarity:

Cathode end is banded.

AC E

LECTRICAL

HARACTERISTICS AT

25°C

Symbol

Capacitance

@ V

= 4V

Min

Max

RELAND -

ORT

OAD

NNIS,

LARE

PHONE:

TOLL FREE:

FAX:

+353 65 6840044

+186 62 702434

+353 65 6822298

WWW.MICROSEMI.COM

U.S.A. D

OMESTIC

ALES

ONTACT

PHONE:

TOLL FREE:

(617) 926 0404

1 800 666 2999

JANTXV1N645-1/TR相似产品对比

	JANTXV1N645-1/TR	M55342K06B2F10CST	1N645-1E3	JANTX1N645-1	PHP01206K1290DBTI	JANTX1N645-1TR
描述	Rectifier Diode,	Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.15W, 2100000ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP	SWITCHING DIODE	DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35	RESISTOR, THIN FILM, 1 W, 0.5 %, 100 ppm, 129 ohm, SURFACE MOUNT, 1206, CHIP	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, MICRO MINIATURE, GLASS, C PACKAGE-2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	compliant	not_compliant	unknown	compli
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Microsemi	-	Microsemi	Microsemi	-	Microsemi
二极管类型	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE
包装说明	-	SMT, 0805	O-LALF-W2	HERMETIC SEALED, MICRO MINIATURE, GLASS, C PACKAGE-2	SMT, 1206	O-LALF-W2
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	-	ANTI-SULFUR	METALLURGICALLY BONDED	METALLURGICALLY BONDED	FLAME PROOF	METALLURGICALLY BONDED
端子数量	-	2	2	2	2	2
最高工作温度	-	150 °C	-	150 °C	155 °C	150 °C
最低工作温度	-	-65 °C	-	-65 °C	-55 °C	-65 °C
封装形式	-	SMT	LONG FORM	LONG FORM	SMT	LONG FORM
表面贴装	-	YES	NO	NO	YES	NO

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