电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BFN18TA

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小40KB,共1页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BFN18TA在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
BFN18TA - - 点击查看 点击购买

BFN18TA概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

BFN18TA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)70 MHz

BFN18TA相似产品对比

BFN18TA
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
厂商名称 Diodes
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.2 A
集电极-发射极最大电压 300 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30
JESD-30 代码 R-PSSO-F3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 70 MHz

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 998  2338  1584  1416  2598  28  34  31  6  20 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved