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UFZT603TA

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小138KB，共3页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
标准
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UFZT603TA概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

UFZT603TA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SOT-223, 4 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)2000
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
VCEsat-Max0.86 V

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SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 3 – NOVEMBER 1995
FEATURES
* 2A continuous current
* Useful h
FE
up to 6A
* Fast Switching
PARTMARKING DETAIL – DEVICE TYPE IN FULL
C
FZT603
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
100
80
10
6
2
2
-55 to +150
UNIT
V
V
V
A
A
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE(sat)
0.79
0.80
0.88
0.99
0.86
MIN.
100
80
10
TYP.
240
110
16
0.01
10
0.1
10
0.88
0.90
1.00
1.13
MAX.
UNIT
V
V
V
µ
A
µ
A
µ
A
µ
A
CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
µ
A
V
CB
=80V
V
CB
=80V,
T
amb
=100°C
V
EB
=8V
V
CES
=80V
I
C
=0.25A, I
B
=0.25mA*
I
C
=0.4A, I
B
=0.4mA*
I
C
=1A, I
B
=1mA*
I
C
=2A, I
B
=20mA*
I
C
=2A, I
B
=20mA †
V
V
V
V
V
† T
j
=150°C

UFZT603TA相似产品对比

UFZT603TA UFZT603
描述 Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SOT-223, 4 PIN SOT-223, 4 PIN
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V
配置 DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 2000 2000
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 150 MHz
VCEsat-Max 0.86 V 0.86 V

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