EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP32
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
| 包装说明 | DIP-32 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| Factory Lead Time | 14 weeks |
| 最长访问时间 | 250 ns |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T32 |
| 长度 | 42.2 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 页面大小 | 128 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 编程电压 | 5 V |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class C |
| 座面最大高度 | 5.72 mm |
| 最大待机电流 | 0.0003 A |
| 最大压摆率 | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 切换位 | YES |
| 宽度 | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
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