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FMMT5179TA

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小92KB,共2页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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FMMT5179TA概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,

FMMT5179TA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.05 A
基于收集器的最大容量1 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最小功率增益 (Gp)15 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)900 MHz
VCEsat-Max0.4 V

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
ISSUE 3 - JANUARY 1996
FEATURES
* High f
T
=900MHz Min
* Max capacitance=1pF
* Low noise 4.5dB
PARTMARKING DETAIL - 179
FMMT5179
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Collector-Emitter Sustaining
Voltage
Collector-Base Breakdown
Voltage
Emitter-Base Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off
Current
Static Forward Current
Transfer Ratio
Collector-Emitter Saturation
Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Transition Frequency
Collector-Base Capacitance
Small Signal Current Gain
Noise Figure
Common-Emitter Amplifier
Power Gain
SYMBOL
V
CEO(SUS)
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
cb
h
fe
N
F
Gpe
15
25
3
900
25
MIN.
12
20
2.5
0.02
1.0
250
0.4
1.0
2000
1
300
14
4.5
ps
dB
dB
V
V
MHz
pF
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
MAX.
VALUE
20
12
2.5
50
330
-55 to +150
SOT23
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
UNIT CONDITIONS.
V
V
V
µ
A
µ
A
I
C
= 3mA, I
B
=0
I
C
= 1
µ
A, I
E
=0
I
E
=10
µ
A, I
C
=0
V
CB
=15V, I
E
=0
V
CB
=15V, I
E
=0, T
amb
=150°C
I
C
=3mA, V
CE
=1V
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=5mA, V
CE
=6V, f=100MHz
I
E
=0, V
CB
=10V, f=1MHz
I
C
=2mA, V
CE
=6V, f=1KHz
I
E
=2mA, V
CB
=6V, f=31.9MHz
I
C
=1.5mA, V
CE
=6V
R
S
=50
, f=200MHz
I
C
=5mA, V
CE
=6V
f=200MHz
Collector Base Time Constant rb’C
c
Spice parameter data is available upon request for this device
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FMMT5179TA相似产品对比

FMMT5179TA FMMT5179TC
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
基于收集器的最大容量 1 pF 1 pF
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
最小功率增益 (Gp) 15 dB 15 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 900 MHz 900 MHz
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