电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

UFCX591ATA

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共1页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

UFCX591ATA概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

UFCX591ATA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)300
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz

UFCX591ATA相似产品对比

UFCX591ATA
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
厂商名称 Diodes
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 40 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 300
JESD-30 代码 R-PSSO-F3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 244  512  732  907  1560 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved