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UFCX558TA

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共1页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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UFCX558TA概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

UFCX558TA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

UFCX558TA相似产品对比

UFCX558TA
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
厂商名称 Diodes
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.2 A
集电极-发射极最大电压 400 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100
JESD-30 代码 R-PSSO-F3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz

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