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FMMT591ATA

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小102KB,共2页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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FMMT591ATA概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

FMMT591ATA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
基于收集器的最大容量10 pF
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)300
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
VCEsat-Max0.5 V

FMMT591ATA相似产品对比

FMMT591ATA FMMT591ATC UFMMT591ATA UFMMT591A UFMMT591ATC
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SOT-23, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SOT-23, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant not_compliant compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
基于收集器的最大容量 10 pF 10 pF 10 pF 10 pF 10 pF
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V 40 V 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 300 300 300 300 300
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) MATTE TIN Matte Tin (Sn) MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V
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