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UFZT591A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-223, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小415KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
标准
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UFZT591A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-223, 4 PIN

UFZT591A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes
零件包装代码SOT-223
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)300
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz

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SOT223 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 - DECEMBER 2001
FEATURES
Low equivalent on resistance
R
CE(sat)
= 350m
PART MARKING DETAIL -
COMPLEMENTARY TYPE -
FZT591A
FZT491A
at 1A
FZT591A
C
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Base Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
-40
-40
-5
-2
-1
-200
2
-55 to +150
UNIT
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Saturation
Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Turn-on Voltage
Static Forward Current Transfer Ratio
SYMBOL MIN.
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE(sat)
-40
-40
-5
-100
-100
-100
-0.2
-0.35
-0.5
-1.1
-1.0
300
300
250
160
30
150
10
800
MAX. UNI CONDITIONS.
T
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
I
C
=-100µA
I
C
=-10mA*
I
E
=-100µA
V
CB
=-30V
V
EB
=-4V
V
CES
=-30V
I
C
=-100mA,I
B
=-1mA*
I
C
=-500mA,I
B
=-20mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-1A, I
B
=-50mA*
I =-1A, V
CE
=-5V*
C
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
I
C
=-1mA,
I
C
=-100mA*,
I
C
=-500mA*, V
CE
=-5V
I
C
=-1A*,
I
C
=-2A*,
MHz I
C
=-50mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
Transition Frequency
Output Capacitance
f
T
C
obo
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
1
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