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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UFZT493
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UFZT493

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB，共1页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
标准
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UFZT493概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

UFZT493规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes
零件包装代码SOT-223
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz

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SOT223 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 – NOVEMBER 1995
7
C
COMPLEMENTARY TYPE –
PARTMARKING DETAIL –
FZT593
FZT493
FZT493
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Base Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Breakdown Voltages
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
Cut-Off Currents
I
CBO
I
EBO
I
CES
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Turn-On
Voltage
Static Forward Current
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
100
100
80
30
150
10
MIN.
120
100
5
100
100
100
0.3
0.6
1.15
1.0
300
MHz
pF
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
TYP.
MAX.
VALUE
120
100
5
2
1
200
2
-55 to +150
UNIT
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
µ
A
V
CB
=100V
V
EB
=4V
V
CES
=100V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
I
C
=1A, I
B
=100mA*
I
C
=1A, I
B
=100mA*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
I
C
=1mA, V
CE
=10V
I
C
=250mA, V
CE
=10V*
I
C
=500mA, V
CE
=10V*
I
C
= 1A, V
CE
=10V*
I
C
=50mA, V
CE
=10V,
f =100MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
UNIT
V
V
V
A
A
mA
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
Transition Frequency
Output Capacitance
f
T
C
obo
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical Characteristics graphs see FMMT493 datasheet
3 - 190

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