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UFZT753: 产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小104KB，共2页; 制造商Zetex Semiconductors; 官网地址http://www.zetex.com/; 标准

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UFZT753概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

UFZT753规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Zetex Semiconductors
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	2 A
基于收集器的最大容量	30 pF
集电极-发射极最大电压	100 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	25
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	140 MHz
VCEsat-Max	0.5 V

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SOT223 PNP SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 4 FEBRUARY 1996

FEATURES

* Low saturation voltage

* Excellent h

specified up to 2A

FZT753

COMPLEMENTARY TYPE

PARTMARKING DETAIL

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T

amb

=25°C

Operating and Storage Temperature Range

PARAMETER

Collector-Base

Breakdown Voltage

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

SYMBOL MIN.

-120

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

CE(sat)

BE(sat)

BE(on)

100

-0.17

-0.30

-0.9

-0.8

200

170

140

-100

-5

-0.1

-10

-0.1

-0.3

-0.5

-1.25

-1.0

300

MHz

FZT653

FZT753

SYMBOL

CBO

CEO

EBO

tot

stg

TYP.

MAX.

VALUE

-120

-100

-5

-6

-2

-55 to +150

UNIT

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

UNIT

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated).

CONDITIONS.

=-100

=-10mA*

=-100

=-100V

=-100V,

amb

=100°C

=-4V

=-1A, I

=-100mA*

=-2A, I

=-200mA*

=-1A, I

=-100mA*

=-1A, V

=-2V*

=-50mA, V

=-2V*

=-500mA, V

=-2V*

=-1A, V

=-2V*

=-2A, V

=-2V*

=-100mA, V

=-5V

f=100MHz

=-10V f=1MHz

=-500mA, V

=-10V

=-50mA

Emitter Cut-Off Current

Collector-Emitter

Saturation Voltage

Base-Emitter

Saturation Voltage

Base-Emitter

Turn-On Voltage

Static Forward Current

Transfer Ratio

Transition Frequency

Output Capacitance

Switching Times

obo

off

600

*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300

s. Duty cycle

≤

Spice parameter data is available upon request for this device

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	UFZT753
描述	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Zetex Semiconductors
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	2 A
基于收集器的最大容量	30 pF
集电极-发射极最大电压	100 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	25
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	140 MHz
VCEsat-Max	0.5 V

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