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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FMMT4400
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FMMT4400

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB，共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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FMMT4400概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

FMMT4400规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.33 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
最大关闭时间（toff）255 ns
最大开启时间（吨）35 ns

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
ISSUE 4 – FEBRUARY 1997
7
FMMT4400
FMMT4401
C
B
E
PARTMARKING DETAILS:
FMMT4400 - 1KZ
FMMT4401 - 1L
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
FMMT4400
MIN.
40
60
6
0.1
0.1
20
40
50
20
20
40
80
100
40
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
FMMT4401
MIN.
40
60
6
0.1
0.1
VALUE
60
40
6
600
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Collector-Base
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Current
Collector-Emitter
Cut-Off Current
Base Cut-Off
Current
Static Forward
Current
TransferRatio
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Transition
Frequency
Output Capacitance
Input Capacitance
SYMBOL
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CEX
I
BEX
h
FE
MAX.
MAX.
UNIT CONDITIONS
V
V
V
I
C
=1mA, I
B
=0
I
C
=0.1mA, I
E
=0
I
E
=0.1mA, I
C
=0
V
EB(off)
=0.4V
V
EB(off)
=3V
µ
A V
CE
=35V
µ
A V
CE
=35V
150
0.4
0.75
300
0.4
0.75
V
V
V
V
I
C
=0.1mA, V
CE
=1V
I
C
=1mA, V
CE
=1V
I
C
=10mA, V
CE
=1V
I
C
=150mA, V
CE
=1V*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA,I
B
=15mA*
I
C
=500mA,I
B
=50mA*
I
C
=150mA,I
B
=15mA*
I
C
=500mA,I
B
=50mA*
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
obo
C
ibo
0.75
200
0.95
1.2
0.75
250
0.95
1.2
MHz I
C
=20mA,V
CE
=10V
f=100kHz
6.5
30
pF V
CB
=5 V,I
E
=0
f=100kHz
pF V
BE
=0.5V, I
C
=0
f=100kHz
6.5
30
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
PAGE NUMBER

FMMT4400相似产品对比

FMMT4400 FMMT4401
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
厂商名称 Diodes Diodes
零件包装代码 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 40
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.33 W 0.33 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 250 MHz
最大关闭时间（toff） 255 ns 255 ns
最大开启时间（吨） 35 ns 35 ns

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