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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UFMMTA56R
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UFMMTA56R

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB，共1页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
标准
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UFMMTA56R概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

UFMMTA56R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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SOT23 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 3 – JANUARY 1996
FEATURES
*
Gain of 50 at I
C
=100mA
FMMTA55 - 2H
FMMTA56 - 2G
FMMTA55R - NB
FMMTA56R - MB
7
FMMTA55
FMMTA56
C
B
E
PARTMARKING DETAIL -
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-60
-60
-80
-80
-4
-500
330
-55 to +150
SOT23
FMMTA55 FMMTA56
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
FMMTA55
PARAMETER
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Cut-Off Current
Collector-Base
Cut-Off Current
SYMBOL
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CES
I
CBO
50
50
-0.25
-1.2
100
100
MIN.
-60
-4
-0.1
FMMTA56
MAX. UNIT
V
V
-0.1
-0.1
50
50
-0.25
-1.2
V
V
MHz
µ
A
µ
A
MAX. MIN.
-80
-4
CONDITIONS.
I
C
=-1mA, I
B
=0*
I
E
=-100
µ
A, I
C
=0
V
CE
=-60V
V
CB
=-80V, I
E
=0
V
CB
=-60V, I
E
=0
I
C
=-10mA, V
CE
=1V*
I
C
=-100mA, V
CE
=1V*
I
C
=-100mA,
I
B
=-10mA*
I
C
=-100mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-2V
f=100MHz
-0.1
Static Forward
h
FE
Current Transfer Ratio
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Turn-On Voltage
Transition
Frequency
V
CE(sat)
V
BE(on)
f
T
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
3 - 177

UFMMTA56R相似产品对比

UFMMTA56R FMMTA55TC FMMTA55 FMMTA55R FMMTA56R
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN 双极小信号 - Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
厂商名称 Diodes - Diodes Diodes Diodes
零件包装代码 SOT-23 - SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 - 3 3 3
Reach Compliance Code compliant - unknown unknown compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A - 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 80 V - 60 V 60 V 80 V
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 - 50 50 50
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 - 1 1 1
端子数量 3 - 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP - PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES - YES YES YES
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz - 100 MHz 100 MHz 100 MHz

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