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UFZT857TC

产品描述Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小112KB,共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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UFZT857TC概述

Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

UFZT857TC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3.5 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz

UFZT857TC相似产品对比

UFZT857TC UFZT857TA
描述 Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
厂商名称 Diodes Diodes
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3.5 A 3.5 A
集电极-发射极最大电压 300 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 4 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 80 MHz 80 MHz
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