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FZT851TC: 产品描述Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小201KB，共5页; 制造商Zetex Semiconductors; 官网地址http://www.zetex.com/; 标准

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FZT851TC概述

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

FZT851TC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Zetex Semiconductors
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	6 A
集电极-发射极最大电压	60 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	3 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	130 MHz
VCEsat-Max	0.375 V

FZT851TC相似产品对比

	FZT851TC	UFZT853TA	UFZT853TC	FZT853TC	UFZT851TA	UFZT851TC
描述	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Zetex Semiconductors	Zetex Semiconductors	Zetex Semiconductors	Zetex Semiconductors	Zetex Semiconductors	Zetex Semiconductors
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A
集电极-发射极最大电压	60 V	100 V	100 V	100 V	60 V	60 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100	100	100	100	100	100
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	3 W	3 W	3 W	3 W	3 W	3 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	130 MHz	130 MHz	130 MHz	130 MHz	130 MHz	130 MHz
VCEsat-Max	0.375 V	0.34 V	0.34 V	0.34 V	0.375 V	0.375 V

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