datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UFZT694B
PDF数据手册
文档预览

UFZT694B

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小100KB，共2页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

UFZT694B概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

UFZT694B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)150
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)130 MHz
VCEsat-Max0.5 V

文档预览

下载PDF文档
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 3 - OCTOBER 1995
FEATURES
* High V
CEO
/ Very Low Saturation Voltage
* Gain of 400 at I
C
=200mA
APPLICATIONS
* Darlington replacement
* Relay / solenoid driver
PARTMARKING DETAIL -
FZT694B
FZT694B
C
E
C
B
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
120
120
5
2
1
2
-55 to +150
MAX.
UNIT
V
V
V
0.1
0.1
0.25
0.5
0.9
0.9
µ
A
µ
A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Breakdown Voltages
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Turn-On Voltage
Static Forward
Current Transfer
Ratio
Transition Frequency
Input Capacitance
Output Capacitance
Switching Times
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
f
T
C
ibo
C
obo
t
on
t
off
500
400
150
130
200
9
80
2900
MHz
pF
pF
ns
ns
MIN.
120
120
5
UNIT
V
V
V
A
A
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
TYP.
CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
µ
A
V
CB
=100V
V
EB
=4V
I
C
=100mA, I
B
=0.5mA*
I
C
=400mA, I
B
=5mA*
I
C
=1A, I
B
=10mA*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=100mA, V
CE
=2V
*
I
C
=200mA, V
CE
=2V*
I
C
=400mA, V
CE
=2V*
I
C
=50mA, V
CE
=5V
f=50MHz
V
EB
=0.5V, f=1MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
I
C
=100mA, I
B!
=10mA
I
B2
=10mA, V
CC
=50V
V
V
V
V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
3 - 225

UFZT694B相似产品对比

UFZT694B
描述 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Zetex Semiconductors
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 120 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 150
JESD-30 代码 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 4
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 130 MHz
VCEsat-Max 0.5 V

推荐资源

自动求救报警药盒控制电路

漏电保护专用集成电路54123电路

隔离电池监测电路

镍镉电池寿命延长电路

6OXT(1.0)电脑主板电路图_06

器件捷径:   A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

  1. RWR78S90R9FSB12
  2. 0395040718
  3. 133-3302-406
  4. 87899-304
  5. IRKC236/08
  6. LP21-18-30.0M-20G1CG
  7. MLSS156-10-C
  8. GSX-9/551EF8MHZ
  9. CR0805F147RP05Z
  10. FS8856-21CD
  11. PZ1D24VH
  12. M3双通螺柱铜柱m3*14mm

开源项目推荐更多

  1. DS51220C，使用 MCP3302 的演示板，12 位，100-KSPS，4CH/8CH 模数转换器子板
  2. eLQFP176封装的SPC58 E / N / G线的微型插座模块
  3. LT3755EUD 50W 白光 LED 头灯驱动器的典型应用电路
  4. LT1807 的典型应用 - 325MHz、双通道、轨到轨输入和输出、低失真、低噪声精密运算放大器
  5. 使用具有低输出电压纹波的 LTC3639MPMSE 4 至 150V 输入至 1.2V/50mA 输出稳压器的典型应用
  6. 用于荧光灯镇流器的 15W、16-LED 调光 LED 驱动器
  7. KIT06XS3517EVBE: 评估套件 - MC06XS3517，五通道高边开关
  8. X-NUCLEO-IHM08M1，基于 STL220N6F7 用于 STM32 Nucleo 的低压 BLDC 电机驱动器的扩展板
  9. LT3650EDD-4.2 演示板，高压 2 安培单片锂离子电池充电器
  10. FS26安全SBC评估板

热门活动更多

  1. 填问卷赢好礼 | 想学电源设计？来MPS小课堂！
  2. 免费申请：ADI 超低功耗3 轴 MEMS 加速计ADXL362Z评估板（价值386元）
  3. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  4. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  5. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  6. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  7. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  8. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  9. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  10. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验

热门文章更多

  1. ZDS2022示波器百集实操特辑之10：X-Y模式的应用
  2. 支持页面再次曝光 证据显示Apple Pay或不久之后登陆智利
  3. 为何越来越多旗舰手机采用家族化设计？
  4. AT91RM9200Linux移植笔记(一)-交叉编译环境的建立
  5. 日媒：日本已经在半导体基础研究中落后中美
  6. Ampleon发布增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管
  7. 基于超声波测距技术的3-D输入设备的应用方案
  8. 为确保半导体等战略物资供应，美日计划拉拢韩国、东盟建立“印太框架”

技术资料推荐更多

  1. 发射机滤波电感器的设计原则
  2. Intuitive Analog Circuit Design [2nd by Marc Thompson 2013]
  3. Analog MOS Integrated Circuits for Signal Processing
  4. MOSFET与IGBT的区别
  5. Feed-Forward Compensation for Fast Frequency Settling All-Digital PLL
  6. SAR_ADC設計問題
  7. 1.5V工作电压带隙基准电路的设计
  8. Folded-cascode CMOS operational amplifier with slew rate enhancement circuit
  9. 断续音报警信号发生器
  10. DC-AC变换器标准多谐振荡器

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2024  1714  2161  1373  1803  31  21  13  32  10 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved