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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FMMT4125
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FMMT4125

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小27KB，共1页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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FMMT4125概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

FMMT4125规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
最大关闭时间（toff）155 ns
最大开启时间（吨）43 ns

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SOT23 PNP SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTOR
ISSUE 2 – MARCH 1995
PARTMARKING DETAIL –
7
ZD
FMMT4125
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
SaturationVoltage
Static Forward
Current Transfer Ratio
Transistion Frequency
Output Capacitance
Input Capacitance
Noise Figure
Small Signal Current
Transfer
PARAMETER
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
h
FE
f
T
C
obo
C
ibo
N
h
fe
50
25
200
MIN.
-30
-30
-4
-50
-50
0.4
0.95
150
4.5
10
5
50
200
MHz
pF
pF
dB
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
MAX.
UNIT
V
V
V
nA
nA
V
V
VALUE
-30
-30
-4
-200
330
-55 to +150
CONDITIONS.
I
C
=-10
µ
A
I
C
=-1mA*
I
E
=-10
µ
A
V
CB
=-20V
VEB=-3V
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA*
IC=-50mA, I
B
=-5mA*
I
C
=-2mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-50mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-20V, f=100MHz
V
CB
=-5V, I
E
=0, f=140KHz
V
BE
=-0.5V, I
E
=0, f=140KHz
I
C
=-200
µ
A, V
CE
=-5V, R
g
=-2k
Ω
f=30Hz to 15KHz at 3dB points
I
C
=-2mA, V
CE
=-1V, f=1KHz
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
SWITCHING CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
SYMBOL
t
d
t
r
t
s
t
f
TYP.
25
18
140
15
ns
ns
ns
ns
UNIT
CONDITIONS
V
CC
=-3V, V
BE(off)
=-0.5V
I
C
=-10mA, I
B1
=-1mA
V
CC
=-3V, I
C
=-10mA
I
B1
=I
B2
=-1mA
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%

FMMT4125相似产品对比

FMMT4125
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
厂商名称 Diodes
零件包装代码 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A
集电极-发射极最大电压 30 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz
最大关闭时间（toff） 155 ns
最大开启时间（吨） 43 ns

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