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FMMT3903

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小45KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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FMMT3903概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

FMMT3903规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.33 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTORS
ISSUE 2 – SEPTEMBER 94
COMPLIMENTARY TYPES – FMMT3903 - FMMT3905
FMMT3904 - FMMT3906
FMMT3903
FMMT3904
C
B
E
PARTMARKING DETAIL –
FMMT3903 - 1W
FMMT3904 - 1A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
CollectorEmitter Voltage
EmitterBase Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
60
40
6
200
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
FMMT3903
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
60
40
6
50
50
20
35
50
30
15
40
70
100
60
30
FMMT3904
MAX.
UNIT CONDITIONS.
V
V
V
50
50
I
C
=10µA, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0*
I
E
=10µA, I
C
=0
MAX. MIN.
60
40
6
Collector Base
V
(BR)CBO
Breakdown Voltage
CollectorEmitter
V
(BR)CEO
Breakdown Voltage
EmitterBase
V
(BR)EBO
Breakdown Voltage
CollectorEmitter
CutOff Current
Base CutOff
Current
Static Forward
Current Transfer
Ratio
I
CEX
I
BEX
h
FE
nA V
CE
=30V, V
BE(off)
=3V
nA V
CE
=30V, V
EB(off)
=3V
I
C
=0.1mA, V
CE
=1V*
I
C
=1mA, V
CE
=1V*
I
C
=10mA, V
CE
=1V*
I
C
=50mA, V
CE
=1V*
I
C
=100mA, V
CE
=1V*
V
V
V
V
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
I
C
=50mA, I
B
=5mA*
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
I
C
=50mA, I
B
=5mA*
150
300
CollectorEmitter
V
CE(sat)
Saturation Voltage
BaseEmitter
V
BE(sat)
Saturation Voltage
Transition
Frequency
Output
Capacitance
f
T
C
obo
0.65
250
0.2
0.3
0.85
0.95
0.65
300
4
8
0.2
0.3
0.85
0.95
MHz I
C
=10mA, V
CE
=20V
f=100MHz
4
8
pF
pF
V
CB
=5V, I
E
=0, f=100KHz
V
BE
=0.5V, I
C
=0, f=100KHz
Input Capacitance C
ibo
78

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FMMT3903 FMMT3903TA FMMT3904
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon 双极小信号 - Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
厂商名称 Diodes - Diodes
Reach Compliance Code compliant - unknown
最大集电极电流 (IC) 0.2 A - 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V - 40 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 - 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN - NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.33 W - 0.33 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz - 300 MHz
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