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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FSS923A0D3
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FSS923A0D3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.65ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小115KB，共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FSS923A0D3概述

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.65ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA

FSS923A0D3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7 A
最大漏极电流 (ID)7 A
最大漏源导通电阻0.65 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)22 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)21 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FSS923A0D3相似产品对比

FSS923A0D3 FSS923A0R4 FSS923A0R3 FSS923A0D1
描述 Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.65ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.65ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.65ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.65ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild
Reach Compliance Code unknown compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 7 A 7 A 7 A 7 A
最大漏极电流 (ID) 7 A 7 A 7 A 7 A
最大漏源导通电阻 0.65 Ω 0.65 Ω 0.65 Ω 0.65 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-257AA TO-257AA TO-257AA TO-257AA
JESD-30 代码 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 22 W 22 W 22 W 22 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 21 A 21 A 21 A 21 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON

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