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FMMTA20RTC

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小20KB,共1页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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FMMTA20RTC概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

FMMTA20RTC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)125 MHz

FMMTA20RTC相似产品对比

FMMTA20RTC FMMTA20RTA
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
厂商名称 Diodes Diodes
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 125 MHz 125 MHz
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