Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Zetex Semiconductors |
| 包装说明 | SOT-223, 4 PIN |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 25 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 300 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| VCEsat-Max | 0.35 V |
| UFZT869 | |
|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Zetex Semiconductors |
| 包装说明 | SOT-223, 4 PIN |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 25 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 300 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| VCEsat-Max | 0.35 V |
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