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FC13D

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, CP6, 6 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小40KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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FC13D概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, CP6, 6 PIN

FC13D规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最大漏极电流 (ID)0.01 A
FET 技术JUNCTION
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FC13D相似产品对比

FC13D FC13E
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, CP6, 6 PIN Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, CP6, 6 PIN
厂商名称 SANYO SANYO
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最大漏极电流 (ID) 0.01 A 0.01 A
FET 技术 JUNCTION JUNCTION
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 2 2
端子数量 6 6
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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