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DIM25HHT12-B000

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECOPAC-10
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小148KB,共11页
制造商Dynex
官网地址http://www.dynexsemi.com/
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DIM25HHT12-B000概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECOPAC-10

DIM25HHT12-B000规格参数

参数名称属性值
厂商名称Dynex
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
针数10
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)35 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X10
元件数量2
端子数量10
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)400 ns
标称接通时间 (ton)187 ns

 
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