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JANTX1N5811

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小95KB,共2页
制造商Unitrode Corporation
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JANTX1N5811概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon,

JANTX1N5811规格参数

参数名称属性值
厂商名称Unitrode Corporation
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.925 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/477
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

JANTX1N5811相似产品对比

JANTX1N5811
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon,
厂商名称 Unitrode Corporation
包装说明 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknown
应用 EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.925 V
JESD-30 代码 O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流 125 A
元件数量 1
相数 1
端子数量 2
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -65 °C
最大输出电流 3 A
封装主体材料 GLASS
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500/477
最大重复峰值反向电压 150 V
最大反向电流 5 µA
最大反向恢复时间 0.03 µs
表面贴装 NO
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端子位置 AXIAL
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