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DT5C144EAC5

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 5-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小76KB,共2页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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DT5C144EAC5概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 5-Element, NPN, Silicon

DT5C144EAC5规格参数

参数名称属性值
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明IN-LINE, R-PZIP-T12
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.03 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置COMMON EMITTER, 5 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)68
JESD-30 代码R-PZIP-T12
元件数量5
端子数量12
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置ZIG-ZAG
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max0.5 V

DT5C144EAC5相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 5-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 5-Element, PNP, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 5-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 5-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 5-Element, PNP, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 5-Element, PNP, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 5-Element, PNP, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 5-Element, PNP, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 5-Element, NPN, Silicon
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 IN-LINE, R-PZIP-T12 IN-LINE, R-PZIP-T12 IN-LINE, R-PZIP-T12 IN-LINE, R-PZIP-T12 IN-LINE, R-PZIP-T12 IN-LINE, R-PZIP-T12 IN-LINE, R-PZIP-T12 IN-LINE, R-PZIP-T12 IN-LINE, R-PZIP-T12
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.03 A 0.03 A 0.1 A 0.05 A 0.1 A 0.1 A 0.03 A 0.05 A 0.03 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 COMMON EMITTER, 5 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 5 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 5 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 5 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 5 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 5 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 5 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 5 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 5 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 68 56 20 30 20 30 68 30 56
JESD-30 代码 R-PZIP-T12 R-PZIP-T12 R-PZIP-T12 R-PZIP-T12 R-PZIP-T12 R-PZIP-T12 R-PZIP-T12 R-PZIP-T12 R-PZIP-T12
元件数量 5 5 5 5 5 5 5 5 5
端子数量 12 12 12 12 12 12 12 12 12
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN PNP NPN NPN PNP PNP PNP PNP NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V
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