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IRF620

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,5A I(D),TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小534KB,共11页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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IRF620概述

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,5A I(D),TO-220AB

IRF620规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Diodes
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)40 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

IRF620相似产品对比

IRF620
描述 TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,5A I(D),TO-220AB
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 Diodes
Reach Compliance Code unknown
配置 Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 40 W
表面贴装 NO
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