TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,12A I(D),TO-220AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Diodes |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 79 W |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| IRF532 | |
|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,12A I(D),TO-220AB |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Diodes |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 79 W |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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