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CMPTH81TR

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPTH81TR概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, PLASTIC PACKAGE-3

CMPTH81TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
基于收集器的最大容量0.85 pF
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)600 MHz

CMPTH81TR相似产品对比

CMPTH81TR CMPTH81BK
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, PLASTIC PACKAGE-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3 PLASTIC PACKAGE-3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
基于收集器的最大容量 0.85 pF 0.85 pF
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60 60
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 600 MHz 600 MHz
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