Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMLT5087ETRTIN/LEAD

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CMLT5087ETRTIN/LEAD: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小454KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CMLT5087ETRTIN/LEAD概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP

CMLT5087ETRTIN/LEAD规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)	300
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
表面贴装	YES
标称过渡频率 (fT)	100 MHz

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CMLT5078E NPN/PNP

CMLT5087E PNP/PNP

CMLT5088E NPN/NPN

ENHANCED SPECIFICATION

SURFACE MOUNT SILICON

DUAL TRANSISTORS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT5078E,

CMLT5087E, and CMLT5088E are surface mount

silicon transistors with enhanced specifications

designed for applications requiring high gain and low

noise.

MARKING CODES: CMLT5078E: L78

CMLT5087E: L87

CMLT5088E: L88

SOT-563 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25

♦

Collector-Base Voltage

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

UNITS

5.0

100

350

-65 to +150

357

♦

Collector-Emitter Voltage

♦

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:

(TA=25

C unless otherwise noted)

TYP

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

NPN PNP

MAX

ICBO

VCB=20V

UNITS

♦

BVCBO

♦

BVCEO

♦

BVEBO

♦

VCE(SAT)

♦

VCE(SAT)

♦

hFE

VBE(SAT)

IEBO

VEB=3.0V

IC=100μA

IC=1.0mA

IE=100μA

IC=10mA, IB=1.0mA

IC=100mA, IB=10mA

IC=10mA, IB=1.0mA

VCE=5.0V, IC=0.1mA

VCE=5.0V, IC=1.0mA

VCE=5.0V, IC=10mA

VCE=5.0V, IC=100mA

VCE=5.0V,

VCB=5.0V,

IC=500μA, f=20MHz

IE=0, f=1.0MHz

5.0

135

8.7

110

700

300

100

430

435

430

125

150

105

7.5

225

700

390

380

350

100

400

800

900

♦

hFE

♦

hFE

♦

Cob

Cib

hfe

MHz

4.0

VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz

VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz

VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ,

f=10Hz to 15.7kHz

350

1400

3.0

♦

Enhanced specification

♦

Additional Enhanced specification

♦

R4 (22-March 2013)

CMLT5087ETRTIN/LEAD相似产品对比

	CMLT5087ETRTIN/LEAD	CMLT5078EBKTIN/LEAD	CMLT5087EBKTIN/LEAD	CMLT5088ETRLEADFREE	CMLT5087ETRLEADFREE	CMLT5078ETRLEADFREE	CMLT5078ETRTIN/LEAD	CMLT5088EBKTIN/LEAD
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP	Transistor	Transistor	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	符合	符合	符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	compliant	compliant	compliant	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)	300	300	300	300	300	300	300	300
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	NPN/PNP	NPN/PNP	NPN/PNP	NPN	PNP	NPN/PNP	NPN/PNP	NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
厂商名称	Central Semiconductor	-	-	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor

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