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CMPT6517LEADFREE: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小324KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CMPT6517LEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

CMPT6517LEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	40 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN (315)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	40 MHz

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CMPT6517 NPN

CMPT6520 PNP

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

SURFACE MOUNT

COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE

SILICON TRANSISTORS

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT6517 and

CMPT6520 are complementary silicon transistors

manufactured by the epitaxial planar process, epoxy

molded in a surface mount package, designed for high

voltage driver and amplifier applications.

MARKING CODES: CMPT6517: C1Z

CMPT6520: C2Z

SOT-23 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Continuous Base Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

UNITS

°C

°C/W

350

5.0

500

250

350

-65 to +150

357

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

ICBO

VCB=250V

IEBO

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE(SAT)

VBE(SAT)

VBE(ON)

hFE

VEB=5.0V (CMPT6517)

VEB=4.0V (CMPT6520)

IC=100µA

IC=1.0mA

IE=10µA (CMPT6517)

IE=10µA (CMPT6520)

IC=10mA,

IC=20mA,

IC=30mA,

IC=50mA,

IC=10mA,

IC=20mA,

IB=1.0mA

IB=2.0mA

IB=3.0mA

IB=5.0mA

IB=1.0mA

IB=2.0mA

MAX

UNITS

350

6.0

5.0

0.30

0.35

0.50

1.0

0.75

0.85

0.90

2.0

IC=30mA, IB=3.0mA

IC=10V, IC=100mA

VCE=10V, IC=1.0mA

VCE=10V, IC=10mA

R5 (1-February 2010)

CMPT6517LEADFREE相似产品对比

	CMPT6517LEADFREE	CMPT6520LEADFREE
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A
集电极-发射极最大电压	40 V	40 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15	15
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	NPN	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	40 MHz	40 MHz

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