Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> EM2A

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EM2A: 产品描述Rectifier Diode,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小36KB，共2页; 制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]; 标准

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EM2A概述

Rectifier Diode,

EM2A规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	HIGH RELIABILITY
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.92 V
JEDEC-95代码	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	80 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	140 °C
最低工作温度	-40 °C
最大输出电流	1.2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
参考标准	TS 16949
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向电流	10 µA
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

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EM2 - EM2B

PRV : 400 - 800 Volts

Io : 1.2 Ampere

FEATURES :

High current capability

High surge current capability

High reliability

Low reverse current

Low forward voltage drop

Pb / RoHS Free

RECTIFIER DIODES

DO - 41

0.107 (2.7)

0.080 (2.0)

1.00 (25.4)

MIN.

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

MECHANICAL DATA :

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.34 gram

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

1.00 (25.4)

MIN.

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified

Single phase, half wave,60 Hz, resistive or inductive load

For capacitive load, derate current by

20%.

RATING

Maximum Peak Reverse Voltage

Maximum Peak Reverse Surge Voltage

Maximum Average Forward Current

Nonrepetitive Peak Surge Current

SYMBOL

RSM

F(AV)

FSM

EM2

400

450

EM2A

600

650

1.2

0.92

- 40 to + 140

EM2B

800

850

UNIT

μA

°C

(50 Hz Half-cycle Sine Wave Single Shot)

Maximum Forward Voltage at 1.2 Amp.

Maximum Reverse Current at Reverse Voltage

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Ta = 25

°C

Ta = 100

°C

R(H)

STG

Page 1 of 2

Rev. 03 : March 30, 2005

EM2A相似产品对比

	EM2A	EM2	EM2B
描述	Rectifier Diode,	Rectifier Diode,	Rectifier Diode,
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.92 V	0.92 V	0.92 V
JEDEC-95代码	DO-41	DO-41	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	80 A	80 A	80 A
元件数量	1	1	1
相数	1	1	1
端子数量	2	2	2
最高工作温度	140 °C	140 °C	140 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
最大输出电流	1.2 A	1.2 A	1.2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
参考标准	TS 16949	TS 16949	TS 16949
最大重复峰值反向电压	600 V	400 V	800 V
最大反向电流	10 µA	10 µA	10 µA
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL
包装说明	O-PALF-W2	-	O-PALF-W2

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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